74 УДК 533.7: 533.22 ЗАДАЧА КОНВЕКТИВНОЙ ДИФФУЗИИ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ К ВРАЩАЮЩЕМУСЯ ДИСКУ Е. Л. <...> Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mails: elp2004@mail.ru, bpavel2@rambler.ru Предложена методика аналитического расчета скорости потока газовой смеси и концентрации ростового компонента в процессе эпитаксии из газовой фазы, происходящей в реакционной камере с вращающимся диском-подложкодержателем. <...> Проведен анализ зависимости концентрации ростового компонента от ряда технологических параметров процесса эпитаксии. <...> В настоящее время одним из основных технологических процессов, применяемых при производстве устройств твердотельной микро- и наноэлектроники, является формирование полупроводниковых эпитаксиальных слоев с использованием диффузии из газовой фазы и молекулярных пучков [1–8]. <...> Методы выращивания эпитаксиальных слоев постоянно совершенствуются, в то же время имеющиеся математические модели недостаточно точно описывают процессы, происходящие при выращивании эпитаксиальных слоев. <...> Поэтому оценки зависимостей между технологическими параметрами, определяющими кинетику и механизм роста эпитаксиальных слоев, могут иметь существенные погрешности. <...> Данная технологическая схема является основной для эпитаксии из газовой фазы (перспективного метода создания полупроводниковых наногетероструктур) при использовании в качестве исходных веществ металлоорганических соединений (МОС) и гидридов [2, 3]. <...> В установку поступает поток газовой смеси, состоящей из газообразных веществ, вступающих в химическую реакцию при формировании эпитаксиального слоя, и водорода, используемого в качестве газа-носителя. <...> Схема реакционной камеры для газофазной эпитаксии: 1 — цилиндрическая реакционная камера, 2 — диск-подложкодержатель Методика анализа. <...> При моделировании физических процессов, происходящих при формировании эпитаксиального слоя, будем считать, что вектор линейной скорости поступающего в реакционную <...>