Естественные и технические науки, № 1, 2013 Физика Приборы и методы экспериментальной физики Магомедов М.А., кандидат физикоматематических наук, доцент Атлуханова Л.Б., кандидат педагогических наук Курбанова А.М., кандидат физикоматематических наук Абдулгалимов Р.М., кандидат педагогических наук Шаихов Д.А., кандидат физикоматематических наук, доцент (Дагестанская государственная медицинская академия) МЕДЛЕННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ЗАРЯДА НА РЕАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CdS Проведены исследования влияния состава и толщины окисного слоя на темп медленной релаксации заряда на реальной поверхности эпитаксиальных пленок CdS. <...> Установлено, что в зависимости от типа внешнего возбуждающего фактора на окисленной поверхности CdS проявляются разные группы медленных электронных состояний. <...> Ключевые слова: релаксация, хемосорбция, биографические медленные поверхностные электронные состояния, эффект поля. <...> Введение Как следует из [1] характер кинетики изменения электропроводности нетических кривых (t) эпитаксиальных пленок CdS в процессе адсорбции акцепторных молекул (О2, NO2), а также в эффекте поля, всецело определяется состоянием поверхности этих пленок. <...> Правые ветви ки(t), обусловленные перезарядкой биографических медленных поверхностных электронных состояний (ПЭС), которые выводятся из равновесного состояния в процессе хемосорбции акцепторных молекул, также как и кривые медленной релаксации электропроводности пленок CdS в эффекте поля удовлетворительно описываются эмпирическим уравнением Коца (t)= 0 exp(-t/ S) с параметром = 0.3. <...> Характеристические времена ( s)эп ~ ( s)адс и принимают значения из интервала s = 100850 для различных со(t) эпитаксиальных пленок CdS при хемосорбстояний реальной поверхности эпитаксиальных пленок CdS. <...> Совпадение кинетических кривых релаксации электропроводности ции и в эффекте поля свидетельствует о том, что время образования адсорбционных мед33 Естественные <...>