Д. К. Кострин «Оптический контроль состава газовой смеси в процессе реактивного магнетронного распыления» УДК 533.9.08, 543.42 DOI: 10.14489/td. <...> В. И. Ульянова (Ленина)) E-mail: dkkostrin@mail.ru ОПТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ СОСТАВА ГАЗОВОЙ СМЕСИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ Проанализированы особенности процесса получения тонких пленок с помощью реактивного магнетронного распыления. <...> Рассмотрено спектральное оборудование, позволяющее проводить диагностирование процесса по спектрам излучения плазмы. <...> Продемонстрированы возможности определения состава газовой смеси на примере смеси аргон–кислород при напылении пленок пятиокиси тантала. <...> Ключевые слова: реактивное магнетронное распыление, тонкие пленки, оптический спектрометр, плазма, газовая смесь. <...> Kostrin (Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”, Saint Petersburg) OPTICAL CONTROL OF THE GAS MIX COMPOSITION IN THE PROCESS OF REACTIVE SPUTTERING It is analysed the features of the process of thin films deposition by means of reactive sputtering. <...> Reactive magnetron sputtering peculiarity is the additionof reactive gas into the working camera for directional change of composition of the received coating. <...> Магнетронное распыление является одной из наиболее распространенных технологий получения пленок и покрытий в опто-, микро- и наноэлектронике [1]. <...> По сравнению с другими методами осаждения тонких пленок магнетронное распыление имеет ряд преимуществ, основными из которых являются: – низкая температура подложки; – хорошая адгезия пленки к подложке; – высокая скорость осаждения; – хорошая однородность по толщине. <...> Магнетронное распыление обеспечивает создание тонких пленок заданного состава без примесей и дефектов с высокой степенью повторяемости. <...> Отличием реактивного магнетронного распыления является добавление в рабочую камеру помимо инертного газа реактивного газа (азот, кислород, метан и др.) для направленного изменения состава получаемого покрытия [1]. <...> При реактивном распылении пленка образуется за счет реакции реактивного газа с атомами материала катода магнетрона. <...> Одним из основных параметров, требующих контроля <...>