Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582163)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Контроль. Диагностика  / №4 2015

ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ МИКРОСХЕМ (210,00 руб.)

0   0
Первый авторБулаев
Страниц5
ID496417
АннотацияВнутренние дефекты современных микросхем иногда невозможно обнаружить с помощью обычного функционального или параметрического контроля. В тех случаях, когда дефекты слишком малы, они не оказывают значительного влияния на работу микросхемы и не приводят ни к выходу электрических параметров за пределы допустимых норм, ни к нарушению функционирования. Однако по истечении некоторого времени наработки в результате протекания деградационных процессов материалов изделия дефект может увеличиться и привести к необратимому отказу изделия. Поэтому крайне важно на этапе автономных испытаний изделия, не в составе аппаратуры, обнаружить такие внутренние дефекты Рассматриваются различные методы диагностического неразрушающего контроля, приводятся их достоинства и недостатки. Описан метод критического напряжения питания для поиска скрытых дефектов внутри современных микросхем.
УДК004.052.32
Булаев, И.Ю. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ МИКРОСХЕМ / И.Ю. Булаев // Контроль. Диагностика .— 2015 .— №4 .— С. 58-62 .— URL: https://rucont.ru/efd/496417 (дата обращения: 18.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

И. Ю. Булаев «Применение метода критического напряжения питания для отбраковки потенциально ненадежных микросхем» УДК 004.052.32 DOI: 10.14489/td. <...> 056-060 И. Ю. Булаев (ОАО «Российские космические системы», Москва) E-mail: bulaev.ivan@gmail.com ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ МИКРОСХЕМ Внутренние дефекты современных микросхем иногда невозможно обнаружить с помощью обычного функционального или параметрического контроля. <...> В тех случаях, когда дефекты слишком малы, они не оказывают значительного влияния на работу микросхемы и не приводят ни к выходу электрических параметров за пределы допустимых норм, ни к нарушению функционирования. <...> Однако по истечении некоторого времени наработки в результате протекания деградационных процессов материалов изделия дефект может увеличиться и привести к необратимому отказу изделия. <...> Поэтому крайне важно на этапе автономных испытаний изделия, не в составе аппаратуры, обнаружить такие внутренние дефекты. <...> Рассматриваются различные методы диагностического неразрушающего контроля, приводятся их достоинства и недостатки. <...> Описан метод критического напряжения питания для поиска скрытых дефектов внутри современных микросхем. <...> Ключевые слова: электронная компонентная база, диагностический неразрушающий контроль, метод критического напряжения питания. <...> Bulaev (JSC “Russian Space Systems”, Moscow) VERY-LOW-VOLTAGE TESTING FOR REJECTION OF WEAK INTEGRATED CIRCUITS Internal defects of modern chips is sometimes impossible to detect with conventional functional or parametric testing. <...> Для комплектации высоконадежной аппаратуры необходимо допускать только те изделия электронной компонентной базы (ЭКБ), которым до этапа монтажа проведен полный функциональный и параметрический контроль. <...> Под ЭКБ будем понимать аналоговые, цифроаналоговые и цифровые микросхемы, созданные по полупроводниковой или гибридной технологии, полупроводниковые приборы и электронные модули. <...> Особенность проведения испытаний изделий ЭКБ отечественного <...>