Информационные системы и технологии УДК 535:621.373.8; 535:621.375.8 С.И. МАТЮХИН, З.Ж. КОЗИЛ, Г.Р. МАГОМЕДОВ, Д.О. МАЛЫЙ, С.Н. РОМАШИН КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДГС РО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ AlGaAs В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПОЛОЖЕНИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ В ВОЛНОВОДЕ Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследована зависимость ключевых характеристик полупроводникового AlGaAs лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) от положения квантоворазмерной активной области в области волновода. <...> Показано, что КПД лазера с асимметричной структурой, активная область которой смещена относительно центра волновода, может быть выше КПД лазера с симметричной структурой. <...> Ключевые слова: полупроводниковый лазер на основе AlGaAs; асимметричная двойная гетероструктура; раздельное ограничение; компьютерное моделирование; Sentaurus TCAD. <...> ВВЕДЕНИЕ В последние годы в физике полупроводниковых лазеров успешно развивается концепция асимметричных лазеров с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) [1-5], смысл которой заключается в снижении внутренних оптических потерь путем изготовления структур с расширенным волноводом и квантоворазмерной активной областью, смещенной относительно центра волновода [6-8]. <...> В настоящее время эта идея реализована как в мощных полупроводниковых лазерах, изготовленных по технологии безалюминиевых твердых растворов [1-3], так и в лазерных диодах на основе твердых растворов AlGaAs/GaAs [4, 5]. <...> Мощные полупроводниковые лазеры, а также линейки и решетки на их основе широко используются для накачки твердотельных неодимовых лазеров, а также волоконных усилителей. <...> Вследствие этого задача оптимизации их конструкции и, в частности, задача о зависимости их ключевых характеристик от положения активной области в волноводе является чрезвычайно актуальной. <...> В силу этого на передний план выдвигаются компьютерные методы исследования <...>