В.С. Волков, И.Н. Баринов "Построение диагностических моделей интеллектуальных полупроводниковых датчиков. <...> УДК 681.527.72 В.С. Волков, И.Н. Баринов (Пензенский государственный университет; ОАО "НИИ физических измерений", г. Пенза) E-mail: mzungu@inbox.ru ПОСТРОЕНИЕ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ Описано использование программы схемотехнического моделирования для автоматизации разработки диагности ческих моделей интеллектуальных полупроводниковых датчиков давления и их узлов. <...> Давление является одной из самых важных изме ряемых переменных в системах управления, про мышленности, биомедицинских исследованиях, по этому датчики давления относятся к наиболееширо ко используемым первичным преобразователям фи зических величин. <...> В настоящее время существует большое разнообразие датчиковой аппаратуры, так как понятие "давление" охватывает протяженную об ласть значений–от сверхвысокого вакуума до сверх высоких избыточных давлений, не считая того, что давление может измеряться в различных средах, фи зические и химические характеристики которых весьма разнообразны. <...> В конструкциях датчиков дав ления используются различные типы чувствитель ных элементов, однако одним из самых распростра ненных является чувствительный элемент, исполь зующий полупроводниковые технологии и постро енный на основе тензорезистивного эффекта [1]. <...> Серийно выпускаемые полупроводниковые тен зорезистивные датчики измеряют давление от сотен тысяч паскалей до нескольких десятков мегапаска лей и имеют размеры в пределах десятков милли метров [2]. <...> Однако перед разработ чиками все чаще встает задача развития и совершен ствования датчиков давления на основе разработки и внедрения прогрессивных решений. <...> Одним из наиболее перспективных направлений развития средств измерения давления является при менение интеллектуальных датчиков (smart sensors), 40 обеспечивающих <...>