52, № 5 ИНТРОСКОПИЯ В НАНОМЕЗОСКОПИКЕ: ОДНОЭЛЕКТРОНИКА И КВАНТОВАЯ БАЛЛИСТИКА∗ В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, З. Д. Квон, А. В. Латышев, А. Л. Асеев Институт физики полупроводников им. <...> Академика Лаврентьева, 13 E-mail: vtkach@isp.nsc.ru Представлен метод вычислительного эксперимента для исследования внутренней структуры объектов наномезоскопики — проводящих подсистем и квантовых явлений в твердотельных субмикронных объектах, которые демонстрируют индивидуальное поведение низкотемпературного сопротивления. <...> Внешние поля, а также детали изготовления и строения структур сильнее всего влияют на низкотемпературное сопротивление мезоскопических образцов [3]. <...> Особенности низкотемпературного сопротивления субмикронных структур возникают в первую очередь благодаря одночастичной квантовой механике электрона проводимости в эффективном потенциале (квантовая баллистика) [4] либо квантованию заряда туннельно-изолированных малых проводников (одноэлектроника) [5]. <...> Интерпретация соответствующих экспериментов предполагает выяснение свойств электронной подсистемы, для чего обычно есть небольшой массив данных об изготовлении и сопротивлении образца. <...> Заметим, что эффекты одночастичной интерференции чувствительны к способу изготовления и материалам наноструктур, а эффекты зарядового квантования и кулоновской блокады (КБ) туннелирования [5] предоставляют значительную свободу выбора проводящих и туннельно-изолирующих материалов. <...> Описание электронной подсистемы в терминах удерживающего потенциала и волновых функций является континуальным, тогда как дискретный язык ёмкостей и сопротивлений туннельных переходов в теории КБ лаконично характеризует электронную подсистему и предсказывает хорошо распознаваемые особенности сопротивления [5–9]. <...> Наиболее управляемы и физически интересны наносистемы, которые электростатически «вырезаются» вместе с подводящими проводниками из двумерного электронного газа <...>