14 УДК 538.956 : 538.971 МАТЕРИАЛОВЕДЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ В ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ МДП-СТРУКТУР НА Ge∗ Е. Б. Горохов, К. Н. Астанкова Институт физики полупроводников им. <...> Академика Лаврентьева, 13 E-mail: gorokhov@isp.nsc.ru На основе материаловедческих исследований композиций диэлектрических слоёв разработан новый технологический маршрут изготовления МДП-транзистора на Ge. <...> Применив процесс gate-first и модифицированную прослойку термического GeO2 с повышенной вязкостью на границе раздела с Ge-подложкой, удалось закапсулировать в ней нежелательные примеси. <...> Увеличение плотности окисного слоя вблизи германия после взаимодействия с осаждённой плёнкой Si3N4 препятствовало диффузии в канал транзистора адсорбированных поверхностью подложки примесей. <...> Это позволило повысить подвижность электронов в МДП-транзисторе и исключить её снижение при криогенных температурах. <...> Ключевые слова: Ge-планарная технология, МДП-транзистор, подзатворный диэлектрик, модификация окислов германия, диоксида кремния, нитрида кремния, нитрида германия. <...> До начала 1960-х годов германий являлся основным материалом для изготовления диодов и биполярных транзисторов. <...> Позже было показано, что граница раздела GeO2 — Ge, полученная в результате травления германия, обладая низкой плотностью поверхностных состояний, позволяла в широком диапазоне модулировать поверхностную проводимость поперечным электрическим полем [1, 2]. <...> Это означало, что такая граница раздела уже пригодна для попыток создания МДП-транзистора. <...> Однако в чистом виде окисел германия (GeO2), который определял её высокие качества, не мог применяться в планарной технологии, поскольку растворялся в воде. <...> Открытие в середине 1960-х годов лучших диэлектрических свойств плёнок термического SiO2 и его совершенной границы раздела с Si совокупно с достаточной простотой операций планарной технологии этого материала дало возможность стремительно развивать кремниевую микроэлектронику <...>