52, № 5 ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ УДК 621.315.592; 621.3.049; 621.382.3 МДП-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ Ge — ПУТЬ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ И. Г. Неизвестный Институт физики полупроводников им. <...> Академика Лаврентьева, 13 E-mail: neizv@isp.nsc.ru Рассмотрена возможность дальнейшего улучшения параметров полупроводниковых интегральных схем путём замены слоя кремния в МДП-транзисторе материалом с более высокой подвижностью носителей заряда. <...> Показано, что по совокупности свойств для этого больше всего подходит германий. <...> В 1948 году был открыт транзисторный эффект и опубликована работа [1], что послужило началом развития эры полупроводниковой электроники. <...> В первой половине 1960-х годов удалось разработать технологию синтеза монокристаллов кремния, а затем открыть маскирующие свойства малодефектной границы раздела кремний — двуокись кремния (Si — SiO2) [2]. <...> Такая граница создаётся методом термического окисления в глубине монокристаллического кремния, где относительно мало дефектов и возможного разупорядочения кристаллической решётки, возникающего при первичной обработке поверхности. <...> Поэтому граница характеризуется малой плотностью поверхностных состояний. <...> На основе этой структуры был создан полевой МДП-транзистор [3, 4]. <...> Необходимо отметить, что первые патенты на подобные приборы, выданные ещё в 1930-е годы [5, 6], долгое время не были реализованы именно из-за отсутствия совершенной во всех отношениях пары полупроводник—диэлектрик, подобной Si—SiO2. <...> В данной работе обсуждается проблема увеличения быстродействия МДП-транзистора с помощью замены кремния полупроводником с более высокой подвижностью носителей заряда. <...> После создания МДПТ возникла проблема увеличения его быстродействия. <...> Основной принцип, характеризующий направление усилий разработчиков, определяется простым соотношением fT ∼ µ/Lk, т. е. для увеличения быстродействия необходимо либо уменьшать длину канала Lk, либо увеличивать подвижность <...>