компоненты 11 Оптимизация рабочих характеристик GaN-транзисторов со встроенным драйвером Йонг СЕ (Yong XIE) Пол БРОХЛИН (Paul BROHLIN) Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) могут переключаться намного быстрее, чем кремниевые полевые МОП-транзисторы, и таким образом способны обеспечить меньшие потери на коммутацию. <...> Однако при высоких скоростях нарастания сигнала определенные типы корпусов ограничивают коммутационные характеристики полевых GaN-транзисторов. <...> Объединение GaN-транзистора с драйвером в одном корпусе уменьшает паразитные индуктивности, оптимизирует коммутационные возможности, а также позволяет реализовать защитные функции. <...> Введение С точки зрения коммутационных характеристик транзисторы на основе нитрида галлия обладают преимуществами перед кремниевыми МОП-транзисторами благодаря меньшей емкости выводов при таком же сопротивлении открытого канала и отсутствию паразитного диода с его потерями на восстановление при переключении. <...> Такие особенности позволяют полевым GaN-транзисторам осуществлять коммутацию с более а высокими частотами, повышением плотности мощности и улучшением рабочих характеристик в переходных режимах, при сохранении приемлемого уровня коммутационных потерь. <...> У каждого корпуса предусмотрены проволочные выводы и/или контакты, которые вносят паразитную индуктивность (рис. <...> При коммутации с высокими скоростями нарастания напряжения в десятки-сотни вольт за 1 нс эти паразитные индуктивности могут приводить к коммутационным потерям, затухающим переходным процессам («звону») и проблемам с обеспечением надежности. <...> 1б) устраняет индуктивность цепи «общий провод — исток» и существенно снижает индуктивность как между выходом драйвера и затвором GaN-транзистора, так и в цепи заземления драйвера. <...> В статье будут рассмотрены проблемы и ограничения, обусловленные паразитными параметрами корпуса. <...> Оптимизация этих параметров в интегрированном корпусе сокращает паразитные <...>