Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610378)
Контекстум
Прикладная физика  / №5 2012

Исследования гетероэпитаксиальных структур HgCdTe методами микроскопии высокого разрешения (10,00 руб.)

0   0
Первый авторПермишна
АвторыКашуба А.С., Ляликое А.В., Коротаее Е.Д., Бурлаков И.Д.
Страниц10
ID460468
АннотацияМетодами оптической, растровой, атомно-силовой и электронно-ионной микроскотш высокого разрешения исследована морфология поверхности эпитаксиальных слоев теллу-рида кадмия ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Представлены возможные механизмы образования микропустот и V-дефектов. Проведен сравнительный анализ элементного состава и особенностей формообразования V-дефектов
УДК621.383
Исследования гетероэпитаксиальных структур HgCdTe методами микроскопии высокого разрешения / Е.В. Пермишна [и др.] // Прикладная физика .— 2012 .— №5 .— С. 35-44 .— URL: https://rucont.ru/efd/460468 (дата обращения: 08.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

High-resolution microscopy investigations of HgCdTe heteroepitaxial structures E. V. Permikina, A. S. Kashuba, A. V. Ljalikov, . <...> D. Korotaev, I. D. Burlakov Orion R&P Association 46/2 Enthusiasts road, Moscow, 111123, Russia E-mail: IDBUR@orion-ir.ru Presented are results of study of the HgCdTe epitaxial layers grown on the GaAs substrates by MBE. <...> The defects of heterostructure surfaces have been obtained such as hillocks, microvoids and V-shaped defects. <...> Hillocks were observed various on a magnitude. icrovoids had facetted. <...> V-shaped defects were completely covered with polycrystalline material. <...>