Прикладная физика / №5 2012

Диффузия серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP при изготовлении pin-фотодиодов (10,00 руб.)

Первый автор	Горлачук
Авторы	Мармалюк А.А., Рябоштан Ю.Л., Сарайкин В.В., Хакуашев П.Е., Чинарёва И.В.
Страниц	4

10,00р

ID	460467
Аннотация	Исследованы причины появления повышенной емкости pin-фотодиодов на основе InGaAs/InP. Показана связь повышенной емкоепш с диффузией серы из высоколегированной подложки InP в эпитаксиальный слой InGaAs. Такое неожиданное поведение серы объясняется образованием вакансий при диффузии кадмия в слой InGaAs, которые способствуют увеличению коэффициента диффузии серы в InGaAs
УДК	621.315.5

Диффузия серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP при изготовлении pin-фотодиодов / В.П. Горлачук [и др.] // Прикладная физика .— 2012 .— №5 .— С. 31-34 .— URL: https://rucont.ru/efd/460467 (дата обращения: 27.06.2025)