Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634840)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Прикладная физика  / №4 2012

Многоэлементные быстродействующие фотодиоды на основе гетсроструктур InGaAs/InP (10,00 руб.)

0   0
Первый авторАндреев
АвторыТршиенков М.А., Чинарева И.В., Залетаев Н.Б., Гришина Т.Н.
Страниц5
ID460280
АннотацияРассмотрены основные применения матричных InGaAs/InР фотонриемных устройств. Описана технология изготовления матрицы InGaAs/InР фотодиодов.
УДК621.315 5
Многоэлементные быстродействующие фотодиоды на основе гетсроструктур InGaAs/InP / Д.С. Андреев [и др.] // Прикладная физика .— 2012 .— №4 .— С. 86-90 .— URL: https://rucont.ru/efd/460280 (дата обращения: 27.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Wada M., Seco M. et al. // Japanese Journal of Applied Physics. 1989. <...> Schitt F., Li Man Su et al. // IEEE Transaction on Electron Devices. 1984. <...> Multiunit fast-acting photodiodes on the basis of the InGaAs/InP heterostructures D. S. Andreev, T. N. Grishina, N. B. Zaletaev, M. A. Trishenkov, I. V. Chinareva Orion R&P Association 46/2 Enthusiast road, Moscow, 111123, Russia E-mail: orion@orion-ir.ru Investigated are the multiunit fast-acting photodiodes on the basis of the InGaAs/InP heterostructures. <...> Рассмотрены основные применения матричных InGaAs/InР фотонриемных устройств. <...>