Features of the planar p+—n-junctions on silicon and indium antimonide V. P. Astakhov, G. M. Likhachev Moscow Plant "Sapfir" 4a Dnepropetrovsky av., Moscow, 117345, Russia E-mail: ko-ckb@mail.ru Obtained are two common characteristic peculiarities of the planar p+—n-junctions on Si and InSb presence of the electrotraining effect and positive influence of the additional neareplaced planar short-circuit p+—n-junctions on the direct and reverse volt-ampear characteristics. <...> It can be made a supposition that they will repeat on planar p+—n-junctions from others semiconductor materials. <...> На основе анализа опубликованных и оригинальных жспери-неншальпых результатов представлены две общие характерные особенности планарпых р+—n-переходов на Si и InSb, а именно, наличие эффекта электротреннровки и положительное влияние на прямые и обратные ветви ВАХ дополнительного короткоамкнутого близкорасположенного планарпого р+—n-перехода.! <...>