В статье представлены результаты исследования коммутаторов больших импульсных токов, построенных на основе фототиристоров. <...> Рассматриваются переходные процессы в полупроводниковом коммутаторе при разряде конденсатора на индуктивность и при разряде конденсатора на формирующую цепь, включающую в себя индуктор и кроубарные диоды. <...> Установлены предельные токи для полупроводниковой структуры, при которых появляются термогенерационные пики на осциллограммах прямого падения напряжения. <...> Исследован процесс включения фототиристора и показана необходимость применения форсирующих RC-цепей для обеспечения быстрого и устойчивого перехода полупроводниковой структуры в проводящее состояние. <...> Рассмотрен переходный процесс при обратном восстановлении фототиристоров в разрядном контуре с индуктивностью и установлена необходимость применения снабберных цепей, обеспечивающих подавление импульсных перенапряжений. <...> Для разрядного контура с кро-убарными диодами рассмотрены детали переходного процесса переключения тока в кроубарные диоды и генерации импульсных перенапряжений при обратном восстановлении фототиристоров, а также выбраны параметры снабберных цепей для подавления этих перенапряжений. <...> Результаты испытаний при коммутации импульсного тока до 100 кЛ подтвердили правильность принятых технических решений! <...>