Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634655)
Контекстум
.
Электротехника  / №4 2016

К оптимизации изоляции коаксиального высоковольтного ввода (250,00 руб.)

0   0
Первый авторИванов
АвторыОстрейко В.Н., Ярошенко Д.С.
Страниц4
ID457513
АннотацияСтатья посвящена задаче повышения электрической прочности высоковольтных вводов. В коаксиальном цилиндрическом вводе с радиусами г0 и гт>г0> определяющими изоляционный промежуток &т~^о) с диэлектрической проницаемостью 8q, эта задача решена с помощью дополнительного слоя изоляции. Этот слой с диэлектрической проницаемостью £>£$ ограничен радиусами Гп и Гр<гт* Получен простой алгоритм расчёта оптимальной толщины этого слоя, минимизирующей максимальную напряженность в функции радиусов г^, гщ и относительной проницаемости в/Bq>1,582. Данный алгоритм преобразован также в алгоритм синтеза толщины указанного слоя, обеспечивающей минимальную напряжённость Ет. В удобной для практического использования форме даны оптимальные относительные значения всех размеров высоковольтного ввода в функции диэлектрической проницаемости слоя и степени снижения напряженности Е
Иванов, Д.В. К оптимизации изоляции коаксиального высоковольтного ввода / Д.В. Иванов, В.Н. Острейко, Д.С. Ярошенко // Электротехника .— 2016 .— №4 .— С. 52-55 .— URL: https://rucont.ru/efd/457513 (дата обращения: 23.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Статья посвящена задаче повышения электрической прочности высоковольтных вводов. <...> В коаксиальном цилиндрическом вводе с радиусами г0 и гт>г0> определяющими изоляционный промежуток &т~^о) с диэлектрической проницаемостью 8q, эта задача решена с помощью дополнительного слоя изоляции. <...> Этот слой с диэлектрической проницаемостью £>£$ ограничен радиусами Гп и Гр<гт* Получен простой алгоритм расчёта оптимальной толщины этого слоя, минимизирующей максимальную напряженность в функции радиусов г^, гщ и относительной проницаемости в/Bq>1,582. <...> Данный алгоритм преобразован также в алгоритм синтеза толщины указанного слоя, обеспечивающей минимальную напряжённость Ет. <...> В удобной для практического использования форме даны оптимальные относительные значения всех размеров высоковольтного ввода в функции диэлектрической проницаемости слоя и степени снижения напряженности Е! <...>