Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610204)
Контекстум
Прикладная физика  / №5 2011

Влияние γ-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-TlInSe2/n-TlSe<Ge> (10,00 руб.)

0   0
Первый авторАбасова
АвторыМадатов Р.С., Наджафов А.И., Газанфаров М.Р.
Страниц6
ID456994
АннотацияРассматривается влияние у-квантов на механизм переноса тока в гетер о структуре p-TUuSe2 /n-TlSe. Выявлено, что взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами кристаллов приводит к перестройке и перераспределению дефектов на границе раздела гетероперехода. Это сводится к незначительному изменению генерационно-рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса. Аномальные дозовые зависимости характеристик гетеропереходов объяснены изменением степени компенсации уровней на границе раздела и в базе структуры
УДК621:383
Влияние γ-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-TlInSe2/n-TlSe / А.З. Абасова [и др.] // Прикладная физика .— 2011 .— №5 .— С. 108-113 .— URL: https://rucont.ru/efd/456994 (дата обращения: 16.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Mimura K., Wakita K., Arita M., Mamedov N., Orudzhev G., Taguchi Y., Ichikawa K., Namatame H., Taniguchi M.//J. Electron Spectrosc. <...> It has been revealed that the interaction of radiation defects with the initial defects of crystals brings in the reconstruction and redistribution of defects at the edge of heterojunction separation. <...> This results leds to an insignificant change of hetero-recombination processes in the current transport mechanism. <...> Abnormal dose dependence of the heterojunction characteristics is explained by a level compensation rate at the edge of separation and in the structure base. <...> Рассматривается влияние у-квантов на механизм переноса тока в гетер о структуре p-TUuSe2 /n-TlSe<Ge>. <...>

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически