Проведено двумерное численное моделирование эквивалентных кремниевых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) и тиристоров с электростатическим управлением /СИТ) траншейной конструкции в блокирующем и проводящем состоянии. <...> Толщина d высокоом-ной п-базы изменялась в пределах 120-456 мкм при концентрациях доноров N^ =(7,0+1.75)-10 см'' и диффузионной длине неравновесных носителей заряда Л = (0,25-И,0)(/. <...> Сравнительный анализ результатов показал, что блокирующие характеристики СИТ и БТИЗ практически совпадают, а напряжение пробоя Ub изменяется в пределах 1,4—4.6 кВ в зависимости от d. <...> Падение напряжения в открытом состоянии у БТИЗ без стоп-слоя заметно больше, чем у СИТ, преимущество которого увеличивается с ростом U^ и с уменьшении L. <...> Причиной этого является относительно низкая эффективность инжекции катодного эмиттера БТИЗ, приводящая к сильному снижению концентрации неравновесных носителей заряда вблизи катода и соответствующему росту напряженности поля. <...> Введение в БТИЗ дополнительного тонкого стоп-слоя п-типа между базой и коллектором существенно ослабляет утечку дырок. <...> Это повышает эффективность инжекции и приводит к существенному росту концентрации п электронов и дырок и снижению напряженности поля Е в ближайшей к катоду половине базы БТИЗ. <...> В результате падения напряжения на БТИЗ и на СИТ сближаются между собой, причем тем сильнее, чем меньше L и плотность тока и чем больше U ^. <...> Однако и в таком модифицированном БТИЗ концентрация п остается меньше, а напряженность поля Е больше, чем в СИТ. <...> Поэтому при плотностях тока У > 10 А/см2 СИТ обладает меньшим сопротивлением в открытом состоянии, чем эквивалентный модифицированный БТИЗ! <...>