P. 662. 97 Photodetector with guided wavelength characteristics on the basis of the n-ZnS—n-GaAs heterostructure Yu. <...> V. Suslyakov, I. V. Kormiltsev Kalmyk State University, 11 Pushkin's str., Elista, Republic Kalmykia, 358000, Russia E-mail: Suslyakov48@mail.ru The technology of reception, structural and photo-electric properties of heteroepitaxial layers of such as ZnS on gallium arsenide are considered. <...> It is shown that the spectral characteristics of the isotip n-ZnS—n-GaAs heterostructures have three maxima 750, 450 and 335 nm with lengths of waves. <...> The spectral characteristics of the n-ZnS—n-GaAs heterostructures depend on a sign and size of the applied volts. <...> Рассмотрены технология получения, структурные и фотоэлектрические свойства ге-тероэпитаксиалъных слоев сульфида цинка на арсениде галлия. <...> Показано, что спектральная характеристика изотипных гетероструктур n-ZnS—n-GaAs имеет три максимума с длинами волн 750, 450 и 335 нм. <...> При переходе из длинноволновой области в коротковолновую область излучения и обратно происходит смена знака фотоответа. <...> Вид спектральной характеристики изотипной гетероструктуры n-ZnS—n-GaAs зависит от знака и величины приложенного напряжения! <...>