Hess D. W.//IBM Journal of Research and Development. 1999. <...> A., Burdovitsin V. A., Medovnik A. V., Goreev A. K., Oks E. M., Zhirkov I. S.//9-th International Conference on Electron Beam Technologies. 1—4 June, 2009. <...> Anodization of silicon and aluminum in the non-self-sustained glow discharge plasma Yu. <...> A. Burachevskiy, V. A. Burdovitsin, E. M. Oks Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, 40 Lenin ave., Tomsk, 634050, Russia E-mail: office@tusur.ru Results of silicon and aluminum anodization in oxygen plasma are presented. <...> Plasma was formed by the hollow cathode discharge in which an electron beam excitation at the oxygen pressure 20 Pa was applied. <...> The current density through anodized sample did not exceed 1.5 mA/cm2, and its temperature was 200—250 Al2O3 and SiO2 films were formed. <...> Плазма образована несамостоятельным тлеющим разрядом с полым катодом, для возбуждения которого при давлении кислорода 20 Па применялся электронный пучок. <...> Плотность тока через анодируемый образец не превышала 1,5 мА/см2, а его температура составляла 200—250 °С. <...> На поверхности алюминия и кремния формировались сплошные бездефектные пленки Аl2O3 и SiO2. <...>