Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610373)
Контекстум
Прикладная физика  / №2 2011

Математическая модель воздействия лазерного импульса на многослойную полупроводниковую фоточувствительную структуру (10,00 руб.)

0   0
Первый авторСредин
АвторыСахаров М.В.
Страниц7
ID446094
АннотацияРассмотрена математическая модель воздействия мощного импульсного лазерного излучения на многослойную полупроводниковую структуру, состоящую как из прозрачных, так и из поглощающих излучение слоев
УДК621.315.592
Средин, В.Г. Математическая модель воздействия лазерного импульса на многослойную полупроводниковую фоточувствительную структуру / В.Г. Средин, М.В. Сахаров // Прикладная физика .— 2011 .— №2 .— С. 1-7 .— URL: https://rucont.ru/efd/446094 (дата обращения: 06.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Chu J., Sher A. Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors. <...> Voitsehovskii A. V., Kohanenko A. P., Shulga S. A., Smith R. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2005. <...> Mathematical model of high power pulsed infrared laser irradiation of multilayer semiconductor photosensitive structures 1Peter the Great Military Academy of Strategic Rocket Force, 9 Kitaygorodsky passage, Moscow, 103074, Russia V. G. Sredin1, M. V. Sakharov1, 2 E-mail: sredinvg@rambler.ru m_sakharov@mail.ru 2Scientific Innovation Center of Rocket Space Technology, 9 Kitaygorodsky passage, Moscow, 103074, Russia E-mail: nic-rct@mail.ru In this work, we describe a mathematical model of high power pulsed infrared laser irradiation of the multilayer semiconductor photosensitive structures, which consist of both radiation transparent and absorbing layers. <...> PACS: 42.70.Gi, 44.10+i, 66.70.Dr, 73.61.Ga, 78.30.Fs, 79.60.Jv Keywords: multilayer semiconductor light-sensitive structures, high power pulsed infrared laser irradiation, heat conduction, mathematical model. <...> Рассмотрена математическая модель воздействия мощного импульсного лазерного излучения на многослойную полупроводниковую структуру, состоящую как из прозрачных, так и из поглощающих излучение слоев! <...>