Influence of -irradiations on electrophysical parametres of the InGaN/GaN light-emitting diodes N. S. Grushko, A. P. Solonin Ulyanovsk State University, 42 Lev Tolstoy str., Ulyanovsk, 432000, Russia E-mail: hatabovich@mail.ru The InGaN/AlGaN/GaN LEDs were investigated after -irradiation. <...> The influence is established on a concentration profile of a fine impurity and concentration of deep levels. <...> The size of the compensated area and a gradient of concentration are determined. <...> Проведено исследование светодиодов InGaN/AlGaN/GaN на стандартной подложке SiC [КРТ-1608 РВС (SMD)] с двумя квантовыми ямами и активным слоем InxGa1-хN с х = 0,21. <...> Установлено влияние у-облучения на концентрационный профиль мелкой примеси и концентрацию глубоких уровней. <...>