70 УДК 621.383.4/5:621.315.5 Исследование характеристик спектральной чувствительности фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ А. В. <...> Никонов, К. О. Болтарь, Н. И. Яковлева Проведено моделирование характеристики спектральной чувствительности фотодиодов, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных структур тройных соединений кадмий—ртуть—теллур (КРТ) с учетом прохождения ИК-излучения через оптические просветляющие покрытия, гетероэпитаксиальные слои КРТ и подложку. <...> Для оценки квантовой эффективности фотодиодов использовались одномерные модели p-n-перехода с длинной и короткой базой. <...> Обработка численными методами спектральных характеристик чувствительности фотодиодов позволила провести оценки длины диффузии неосновных носителей заряда, скорости поверхностной рекомбинации на границах раздела рабочих фоточувствительных слоев КРТ, фотоэлектрической взаимосвязи между соседними фотодиодами матричных фотоприемных устройств, изготовленных на основе ГЭС КРТ, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. <...> Dw Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры КРТ, матричные фотоприемные устройства, характеристика спектральной чувствительности, квантовая эффективность. <...> Методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии [3, 4] получены высококачественные гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) p-типа проводимости, в том числе структуры с варизонными слоями вблизи поверхности и границы раздела узкозонный полупроводник—подложка, обеспечивающими уменьшение поверхностной рекомбинации [5]. <...> При этом свойства высококачественных гетероэпитаксиальных слоев p-типа близки к свойствам объемных монокристаллов, в которых диффузионная длина неосновных носителей может достигать величины несколько десятков микрон [6, 7]. <...> Фоточувствительными элементами таких матриц являются n+-p-фотодиоды, дифференциальное сопротивление которых при малом обратном смещении и рабочей температуре <...>