Прикладная физика, 2013, № 6 УДК 621.383 Cолнечно-слепые p─i─n-фотодиды на основе гетероструктур AlGaN/AlN К.О. <...> И.И. Таубкин, М.В. Седнев, И.В. Чинарева, А.А. Лопухин, Д.В. Смирнов, А.А. Мармалюк, А.В. Мазалов, Д.Р. Сабитов, В.А. Курешов, А.А. Падалица Представлены результаты работы по созданию гетероструктур AlGaN/AlN на подложках сапфира методом МОС-гидридной эпитаксии, пригодных для изготовления матриц ультрафиолетовых p─i─n-фотодиодов солнечно-слепых фотоприемных устройств, и результаты исследований ультрафиолетовых матричных фотоприемников формата 320х256 на их основе. <...> Методом высокоразрешающей микроскопии исследованы дефекты поверхности гетероструктур AlGaN и их влияние на дефектность элементов ультрафиолетовых матричных фотоприемников. <...> Rv Ключевые слова: AlGaN, солнечно-слепые фотодиоды, p-i-n фотодиоды, ультрафиолетовые фотодиоды, МОС-гидридная эпитаксия. <...> Многообразие задач, связанных с необходимостью детектировать излучение УФдиапазона определило ряд направлений по созданию соответствующих фотопреобразователей, в том числе на основе полупроводниковых материалов [1─5]. <...> Особенно привлекательным выглядит применение системы материалов AlN-GaN для создания фотоприемников ультрафиолетового диапазона, благодаря непрерывному ряду твердых растворов с широким диапазоном изменения ширины запрещенной зоны. <...> Введенского, 3/1 E-mail: bereg@itnline.ru Статья поступила в редакцию 18 октября 2013 г. © Болтарь К.О., Таубкин И. <...> И, Седнев М.В., Чинарева И.В., Лопухин А.А., Смирнов Д.В., Мармалюк А.А., Мазалов А.В., Сабитов Д.Р., Курешов В.А., Падалица А.А., 2013 Разработка крупноформатных матриц фоточувствительных элементов ультрафиолетового диапазона спектра на основе гетероэпитаксиальных p-i-n структур GaN/Alx N является важным Известная проблема в технологии гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) на основе элементов III─V групп заключается в отсутствии коммерчески доступных собственных подложек. <...> В настоящее время в качестве подложечного материала чаще <...>