Прикладная физика, 2013, № 4 УДК 621.315.5:621.383 Исследование скорости ионно-лучевого травления гетероэпитаксиальных структур GaN/Alx Ga1-x N К.О. Болтарь, Е.Н. Зубкова, Н.А. Иродов, М.В. Седнев, Д.В. Смирнов, Ю.П. Шаронов Представлены результаты измерения скорости ионно-лучевого травления гетероэпитаксиальных структур Alx ращенных на подложках α-Al2 вой эпитаксии (МЛЭ). <...> Dw Ключевые слова: AlGaN, ионное травление, p─i─n-фотодиоды, ультрафиолетовые фотодиоды, молекулярно-лучевая эпитаксия, МОС-гидридная эпитаксия. <...> Введение дельных элементов (пикселей) в матрицах фоточувствительных элементов ультрафиолетовых фотоприемных устройств формата 320Ч256, 640Ч512 и более составляют 10Ч10 ─ 30Ч30 мкм [2─6]. <...> Для изготовления фоточувствительных элеПерспективным направлением развития современной микрофотоэлектроники является разработка крупноформатных матриц фоточувствительных элементов ультрафиолетового диапазона спектра на основе гетероэпитаксиальных p─i─n-структур GaN/Alx Ga1-x N [1]. <...> Основным инструментом для формирования единичных фотодиодов в матрицах являются методы «сухого» ионного травления: реактивное ионное травление, в т. ч. с применением высокоплотной индуктивно-связанной плазмы, высокочастотное катодное и ионно-лучевое травление ионами инертных газов. <...> Применение методов «сухого» ионного травления обусловлено химической инертностью соединений GaN и Alx Ga1-x . <...> Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1 сор 2 Зубкова Елена Николаевна 1 Иродов Никита Александрович 1 Седнев Михаил Васильевич 1 , инженер-технолог НТК. , инженер НТК. <...> Смирнов Дмитрий Валентинович 1 Шаронов Юрий Павлович 1 1ОАО «НПО «Орион»». , начальник участка НТК. , инженер НТК. , вед. инженер-технолог НТК. <...> Статья поступила в редакцию 30 сентября 2013 г. © Болтарь К.О., Зубкова Е.Н., Иродов Н.А., Седнев М.В., Смирнов Д.В., Шаронов Ю.П., 2013 разделения фоточувствительных пикселей на глубину залегания n+-слоя [5─7]. <...> Очевидно, что при разработке технологии изготовления фоточувствительных <...>