Прикладная физика, 2014, № 3 УДК 621.315.5 Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP Д.С. <...> Андреев, А.К. Будтолаева, О.В. Огнева, И.В. Чинарева Исследовано воздействие на поверхность p-n-переходов на основе гетероструктур InGaAs/InP, изготовленных по мезатехнологии, плазмы хладона-14. <...> Оценивался уровень темнового тока p-n-перехода, а также состояние приповерхностного слоя p-n-перехода (структурное совершенство, оптические параметры, состав) до и после обработки. <...> Введение Фотоприемники (ФП) на основе гетероструктур InGaAs/InP являются одними из наиболее перспективных в настоящее время изделий для оптико-электронных систем, работающих в диапазоне длин волн 1,0–1,6 мкм [1–3]. <...> В [4–6] такие ФП использовались как элемент матричного фотоприемного устройства формата 320Ч256. <...> Фоточувствительный элемент (ФЧЭ) матрицы создавался по мезатехнологии, что решало проблему взаимосвязи между элементами. <...> Однако в настоящее время величина темнового тока мезаструктур на основе InGaAs/InP на порядок выше, чем в планарных структурах. <...> Основной причиной высокого уровня темновых токов можно считать утечки по поверхности меза-структур, обусловленные, согласно [7], высокой химической активностью гетероструктур, которая ведет к адсорбции на поверхности ряда элементов (в первую очередь, углерода и кислорода) и синтезу на ней окислов элементов АIII и ВV , которые входят в состав слоев структуры, а также проводящих кислотных ионов, т.е. остатков после предыдущих химических обработок. <...> Эта проблема требует разработки многоступенчатой технологии очистки и пассивации локальных мезаструктур. <...> Данная работа посвящена совершенствованию методов плазмохимической обработки мезаструктур. <...> Плазмохимический метод пассивации поверхности мезаструктур Поверхность мезаструктур на основе InGaAs/InP пассивируют, используя следующие методы: ______________________________________________________________ Андреев Дмитрий Сергеевич, вед <...>