Прикладная физика, 2014, № 3 УДК 621.315.5 Влияние диффузии серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP на параметры pin-фотодиодов Д.С. Андреев,А.К. Будтолаева, П.Е. Хакуашев, И.В. Чинарева Работа посвящена актуальной проблеме минимизации удельной емкости pin-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. <...> Проанализированы профили концентрации атомов серы, полученные методом масс-спектроскопии вторичных электронов (ВИМС), и рассчитаны по C-V-характеристикам профили концентрации неосновных носителей заряда в структуре pin-фотодиодов. <...> Исследованы и выявлены причины появления повышенной емкости InGaAs/InP pin-фотодиодов, связанные с аномальной диффузией серы из подложки InP и разработаны меры по их устранению. <...> В результате значительно повышен процент годных по емкости фотодиодов. <...> Введение Одной из актуальных задач при производстве быстродействующих, малошумящих InGaAs/InP pin-фотодиодов [1–4] является обеспечение низкой концентрации примеси (~2⋅1015 см–3 ) в тонкой (~ 2 мкм) активной зоне. <...> Однако, как показала практика, при производстве pinфотодиодов в некоторых случаях происходит неконтролируемый рост удельной емкости структур. <...> На основе CV-измерений выяснено, что рост удельной емкости связан с повышенной концентрацией примеси на границе активной зоны с подложкой. <...> Гетероструктуры InGaAs/InP выращивались методом Ga0.47As/n+-InP для МОС-гидридной эпитаксии в горизонтальном щелевом реакторе при пониженном давлении. <...> Источниками элементов III группы являлись триэтилгаллий и триметилиндий, а источниками элементов V группы – арсин и фосфин. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Cтатья поступила в редакцию 14 мая 2014 г. © Андреев Д.С., Будтолаева А.К., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В., 2014 диапазоне 620–650 °C, а давление в реакторе поддерживалось в интервале 60–100 Торр. <...> Мольное отношение элементов V/III в парогазовой смеси соответствовало 50– 100. <...> Распределение атомов серы по толщине гетероструктуры исследовалось <...>