Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635043)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Прикладная физика  / №3 2014

Особенности спектральной зависимости поглощения эпитаксиальных структур CdHgTe (10,00 руб.)

0   0
Первый авторЯковлева
АвторыБолтарь К.О., Никонов А.В., Бункина КА.
Страниц6
ID432166
АннотацияПроведены расчеты спектра поглощения полупроводникового соединения CdHgTe no теоретической модели, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов, принимая во внимание модель Кейна и выведенные из нее выражения энергии запрещенной зоны, квазиимпульса, края валентной зоны легких и тяжелых дырок. Исследованы спектры поглощения экспериментальных структур КРТ с эпишаксиальным слоем заданной толщины. Проведено сравнение измеренных и рассчитанных спектров поглощения структур КРТ.
УДК621.383.4/5
Особенности спектральной зависимости поглощения эпитаксиальных структур CdHgTe / К.И. Яковлева [и др.] // Прикладная физика .— 2014 .— №3 .— С. 61-66 .— URL: https://rucont.ru/efd/432166 (дата обращения: 04.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Результаты моделирования коэффициентов поглощенияαω сl ()h− сh ()h− сh ()h− сl ()h− h . <...> Спектры пропускания, экспериментальные и теоретические характеристики спектров поглощения тестовых образцов представлены на рис. <...> Спектры пропускания тестовых структур, представленные слева, были измерены с помощью Фурье-спектрометра Vertex70 фирмы Bruker в диапазоне длин волн, соответствующих волновым числам 2500–500 см–1 . <...> В процессе исследований вычислялись граничная длина волны, состав и ширина запрещенной зоны фоточувствительного соя КРТ р-типа проводимости. <...> Суммарный коэффициент поглощения КРТ состава х=0,22 при температуре Т = 80 К. и поглощающего слоя CdHgTe р-типа проводимости. <...> Толщина эпитаксиального слоя образцов составляла 8– 16 мкм. поглощения хорошо соответствует экспериментальным данным, особенно в области спада характеристик. <...> Расхождение теоретической модели и экспериментальных зависимостей в верхней области графиков объясняется локальной неоднородностью состава структуры. <...> Таким образом, данные расчетов свидетельствуют о том, что классическая модель коэффициента поглощения имеет хорошее соответствие с экспериментальными результатами и более ранними результатами моделирования. <...> Заключение Для изготовления фотоэлектронных устройств нового поколения с заданными свойствами и высокими фотоэлектрическими параметрами необходимо проведение исследований оптических характеристик многослойных наногетероструктур полупроводникового соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ) для достижения максимального значения квантовой эффективности, которая напрямую зависит от коэффициента поглощения. <...> Архитектура тестовых образцов. многослойных ГЭС КРТ построена зонная диаграмма тройных растворов КРТ, основанная на классической зонной модели Кейна и аппроксимации основных h иαω h для материала КРТ различного состава! <...> Проведены расчеты спектра поглощения полупроводникового соединения CdHgTe no теоретической модели <...>

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически
Антиплагиат система на базе ИИ