Прикладная физика, 2014, № 3 55 Фотоэлектроника УДК 621.383.4/5 Исследование морфологии поверхности полупроводниковых подложек InSb, предназначенных для ИК-фотоэлектроники А.Е. <...> Мирофянченко, Е.Д. Коротаев, Н.И. Яковлева Методами атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии и рефлектометрии проведены исследования морфологии поверхности полупроводниковых подложек из высоколегированного антимонида индия (InSb), предназначенных для эпитаксиального выращивания InSb. <...> Изготовлены подложки на основе InSb с атомарно-гладкой поверхностью и малым количеством дефектов, пригодные для выращивания эпитаксиальных слоев InSb. <...> Dw Ключевые слова: антимонид индия, InSb, средневолновый инфракрасный диапазон, MWIR, инфракрасный, ИК, микроскопия высокого разрешения, фотоприемное устройство, ФПУ. <...> Введение Для промышленного производства новых поколений фотоприемных устройств (ФПУ) средневолнового ИКдиапазона спектра наиболее перспективным материалом являются структуры антимонида индия InSb [1–3]. <...> Для выращивания эпитаксиальных структур InSb используются подложки из высоколегированного InSb, которые по постоянной решетки полностью согласованы с эпитаксиальными слоями, что позволяет существенно снизить темновые токи и шумы [10]. <...> Для изготовления качественных фоточувствительных структур InSb необходимы мероприятия по совершенствованию технологии подготовки поверхности высоколегированных полупроводниковых подложек InSb [11, 12], которые включают термообработку, отжиг в вакууме, низкотемпературные жидкостные методы очистки, ионную обработку и другие технологические операции, улучшающие качество поверхности и удаляющие структурные дефекты. <...> Термообработка полупроводниковых пластин InSb применяется для удаления адсорбированных поверхностью примесей, разложения поверхностных загрязнений и испарения летучих соединений. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Cтатья поступила в редакцию 10 мая 2014 г. © Мирофянченко А.Е., Коротаев Е.Д., Н.И. Яковлева <...>