56 УДК 621.315.5:621.383 Исследование влияния светового отжига на свойства матричных фотоприемных структур на основе антимонида индия А. А. Лопухин, В. Е. Степанюк, И. И. Таубкин, В. В. Фадеев Исследовано влияние светового отжига на напряжение пробоя фотодиодов на пластинах InSb, объемную диффузионную длину неосновных носителей заряда и одноточечную дефектность матричных фотоприемников (МФП) на основе InSb, изготовленных из различных слитков. <...> Обнаружено, что объемная диффузионная длина неосновных носителей заряда в среднем меньше для светового отжига по сравнению со стандартным отжигом в печи для всех исследованных слитков InSb. <...> Установлено отсутствие ухудшения величины напряжения пробоя на пластинах InSb, прошедших световой отжиг, по сравнению с отжигом в печи. <...> Тот факт, что разброс одноточечной дефектности МФП оказался больше разницы средних значений дефектности при различных методах отжига свидетельствует о том, что дефектность фотодиодов не связана с методом отжига. <...> Введение В серийной технологии изготовления матричных фотоприемных устройств (МФПУ) формата 320Ч256 элементов на основе антимонида индия [1] достигнут уровень дефектности около 0,2 ч 0,3 % [2]. <...> Целью данной работы было исследование влияния светового отжига на дефектность матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ). <...> Постановка работы Исследование проводилось с тремя слитками антимонида индия n-типа. <...> Фадеев Владислав Викторович, зам. генерального ков, а именно значения концентраций основных носителей заряда с двух сторон слитка, плотность дислокаций и среднее значение диффузионной длины неосновных носителей заряда, приведены в таблице. <...> МФЧЭ изготовлены по мезатехнологии, включающей прецизионное ионно-лучевое травление структуры индиевых микроконтактов и последовательное напыление слоев металлических контактов к p- и n-областям. <...> Для их устранения при формировании мезадиодов проводился отжиг на установке инфракрасного светового отжига <...>