76 УДК 621.315.5 Исследование влияния термообработки на электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев гетероструктур теллурида кадмия-ртути А. С. Кашуба, С. В. Головин, К. О. Болтарь, Е. В. Пермикина, А. <...> Атрашков Приведены результаты исследования влияния термообработки на электрофизические характеристики гетероструктур теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. <...> Показано, что при термической обработке в атмосфере инертного газа ГЭС КРТ концентрация дырок возрастает до 3 уменьшается. <...> 1016 cм-3, а концентрация электронов в приповерхностном слое резко PACS: 42.79. <...> Dw Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры, теллурид кадмия-ртути, ГЭС КРТ, электрофизические характеристики. <...> Введение В настоящее время теллурид кадмия-ртути (КРТ) продолжает оставаться одним из наиболее востребованных материалов для производства крупноформатных и высокочувствительных многоспектральных матричных фотоприемных устройств (МФПУ) [1—7]. <...> На данный момент для изготовления МФПУ используются эпитаксиальные структуры КРТ, выращенные методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии, а также полученные осаждением из металлоорганических соединений. <...> Фотоэлектрические характеристики МФПУ, изготовленных на основе эпитаксиальных структур, непосредственно определяются электрофизическими свойствами материала. <...> Статья поступила в редакцию 17 августа 2014 г. © Кашуба А. С., Головин С. В., Болтарь К. О., Пермикина Е. В., Атрашков А. С., 2014 рые отрицательные характеристики материала. <...> Например, высокая подвижность и летучесть ртути (вследствие слабой химической связи Hg-Te) приводят к образованию собственных точечных дефектов, негативно влияющих на характеристики приборов на базе этого материала [8]. <...> Низкий энергетический порог образования собственных дефектов в КРТ затрудняет применение для этого материала традиционных методов получения заданных электрофизических свойств. <...> Но, несмотря <...>