Прикладная физика, 2014, № 4 УДК 621.383 Кремниевый координатный фотодиод с улучшенными параметрами С. С. Демидов, Е. А. Климанов, М. А. Нури Приведены результаты работы по улучшению параметров кремниевых координатных фотодиодов (ФД). <...> Показано, что введение в технологический маршрут операции геттерирования диффузионным слоем фосфора приводит к существенному уменьшению темновых токов, что связано с резким снижением концентрации глубокого ГРЦ, определяющего темновой ток в ФД, изготовленных без применения данной операции. <...> Введение Кремниевые координатные фотодиоды, начиная с 60-х годов и до настоящего времени, находят применение в различных системах автоматического управления и производятся различными фирмами [1—7]. <...> При этом совершенствование кремниевой технологии приводит к постоянному улучшению параметров фотодиодов. <...> В настоящем сообщении приведены результаты работы по улучшению параметров кремниевых координатных фотодиодов (ФД), прежде всего, в направлении снижения темновых токов с целью расширения возможности применения данных ФД в широком диапазоне температур. <...> Постановка задачи Четырехэлементные ФД с общим диаметром фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 3 мм и зазором между ними 50 мкм изготавливались на кремнии n-типа марки КЭФ-20 (100) по стандартной планарной технологии с пассивацией поверхности термической двуокисью кремния. <...> Для снижения темновых токов фотодиодов Id в технологическом маршруте изготовления использовалась операция геттерирования сильнолегированным диффузионным слоем фосфора для снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров (ГРЦ) [8, 9]. <...> Сравнительные температурные зависимости темнового тока Id ФД, Демидов Станислав Стефанович, ст. научный сотрудник. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья поступила в редакцию 10 августа 2014 г. © Демидов С. С., Климанов Е. А., Нури М. А., 2014 73 изготовленных с применением данной операции (ФД-2) и без нее (ФД-1), показывают значительное cнижение темновых <...>