Прикладная физика, 2014, № 2 УДК 621.315.5:621.383 Влияние параметров быстрого отжига на ВАХ фотодиодов на основе ГЭС GaN/AlGaN М.В. <...> Седнев, Д.В. Смирнов, В.Е. Степанюк В данной работе исследовано влияние параметров быстрого термического отжига (БТО) в вакууме или инертной среде на вольт-амперные характеристики, сформированных травлением ионами Ar+ , фотодиодов на основе ГЭС GaN/AlGaN. <...> Целью работы являлся подбор оптимальных параметров отжига фотодиодных структур GaN/AlGaN с соответствующими параметрами вольт-амперных характеристик: дифференциальные сопротивления диодов и контактов при нулевом смещении R0 , Rк . <...> Введение Фотодиоды (ФД) на основе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) GaN/AlGaN в последнее время находят все более широкое применение в области детектирования излучения ультрафиолетового (УФ) диапазона спектра [1– 7]. <...> В то же время совершенствуется технология изготовления с целью улучшения параметров и повышения надежности диодов [8]. <...> Отдельное внимание уделяется формированию хорошо воспроизводимых низкоомных металлических контактов [9–13]. <...> В данной работе исследовано влияние параметров быстрого термического отжига (БТО) в вакууме или инертной среде на вольт-амперные характеристики, сформированных травлением ионами Ar+ фотодиодов на основе ГЭС GaN/AlGaN. <...> При этом целью работы являлся подбор оптимальных параметров отжига фотодиодных структур GaN/AlGaN с соответствующими параметрами вольтамперных характеристик: дифференциальные сопротивления диодов и контактов при нулевом смещении R0 , Rк Экспериментальные исследования В исследовании были использованы образцы матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) формата 320Ч256 элементов с шагом 30 мкм, сформированных на основе видимо-слепых (ВС) и солнечно-слепых (СС) p– i–n УФ фотодиодных ГЭС GaN/AlGaN, выращенных на оптически прозрачных сапфировых подложках методами МОС-гидридной и молекулярно-лучевой эпитаксии [8]. <...> Выбранная архитектура на основе гетероструктуры из AlGaN/GaN <...>