Прикладная физика, 2014, № 2 УДК 621.383.4/5 Матричные фотоприемные устройства коротковолнового инфракрасного диапазона спектра с лавинным усилением сигнала на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs Н.И. <...> Иродов Проведен анализ матричных фотоприемных устройств формата 320х256 элементов на основе гетероэпитаксиальных структур Alx лавинного усиления. <...> Гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) с фоточувствительным слоем InGaAs i-типа проводимости выращивались методами мосгидридной эпитаксии (МОСГЭ) на подложках InP. <...> Качество p–i–n-фотодиодов, работающих в режиме лавинного усиления, оценивалось по измерению вольт-амперных характеристик. <...> Лавинное усиление начиналось при напряжениях минус 15 В, определен коэффициент лавинного усиления для архитектуры прибора с общей областью поглощения и усиления. <...> Dw Ключевые слова: InGaAs, InP, коротковолновый инфракрасный спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, лавинный p–i–n-фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, фотоприемное устройство. <...> Введение В настоящее время в опто- и фотоэлектронике развивается ряд новых направлений, связанных с разработкой фотоприемных устройств (ФПУ), работающих в активноимпульсном режиме. <...> Данные фотоприемные устройства построены на матрицах фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с лавинным усилением сигнала, что не только существенно увеличивает чувствительность детектирующей оптико-электронной системы по сравнению с обычными матрицами р–n- и р–i–n-фотодиодов [1–3], но и позволяет реализовать усовершенствованные методы регистрации сверхслабых оптических сигналов и обработки 3D-изображений [4–6]. <...> В последнее время в коротковолновой ИК-области спектра (SWIR) лидирующие позиции занимают матричные фотоприемные устройства на основе соединений арсенидов индия-галлия (InGaAs), выращенные методами мосгидридной эпитаксии (МОСГЭ) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках InP [1–5]. <...> Данные ФПУ на основе InGaAs показывают уникальные <...>