74 УДК 621.315.5 Исследование темновых токов в матрицах из InGaAs/InP Д.С. <...> Андреев, А.А. Лопухин, П.Е. Хакуашев, И.В. Чинар¸ва Исследованы элементы планарной фоточувствительной матрицы на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP. <...> Представлено распределение темнового тока по элементам матрицы при двух значениях напряжения смещения. <...> Исследованы вольт-амперные характеристики тестовых элементов различной площади. <...> На основании этих исследований определены составляющие плотности темнового тока, зависящие от объ¸ма и периметра элементов. <...> Для объ¸мной составляющей плотности темнового тока получено значение 3·10–7 А/см2 пространственного заряда p-n-перехода эфф = 95 мкс. <...> Оценено эффективное время жизни носителей в области Введение Зависимость обнаружительной способности D* фотодиода в максимуме спектральной чувствительности от плотности темнового тока при достаточно большом обратном смещении определяется выражением: D*= S λ max qJ где q – заряд электрона; Jт S(λmax () 2 т , (1) – плотность темнового тока; ) – токовая чувствительность в максимуме спектральной чувствительности [1]. <...> Чувствительность зависит от длины волны излучения (от энергии фотона) и связана с квантовой эффективностью соотношением: S(λmax) = Gqηфд /hν, (2) где h – постоянная Планка, ν – частота фотона, G – коэффициент сбора заряда фотогенерированных носителей в фотодиоде. <...> В реальных фотодиодах темновой ток определяется главным образом дефектами в p–n-переходе и поверхностными утечками. <...> В правильно спроектированном и изготовленном p–i–n-фотодиоде суммарный темновой ток, складывающийся из тока Iт ОПЗ смещения [2]. сами генерации–рекомбинации в области пространственного заряда, и диффузионного темнового тока неосновных носителей из квазинейтральных областей Iт диф , может быть весьма мал при низких напряжениях ______________________________________________________________ Андреев Дмитрий Сергеевич, вед. инженер-технолог Лопухин Алексей Алексеевич, главный специалист Хакуашев <...>