Прикладная физика, 2014, № 1 УДК 621.383:621.315.5 Матричные фоточувствительные элементы на основе планарных фотодиодов из гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP Д.С. <...> Андреев, К.О. Болтарь, П.В. Власов, Н.А. Иродов, А.А. Лопухин Приведены результаты исследования планарных фотодиодов (ФД) матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на основе гетероэпитаксиальной структруры InGaAs/InP формата 320х256 элементов с шагом 30 мкм, гибридизированных с различными типами БИС считывания. <...> Показано, что для уменьшения взаимосвязи МФЧЭ при комнатной температуре необходимо увеличивать обратное смещение на ФД до уровня не менее 2 В. <...> Установлено, что значительного уменьшения темнового тока можно добиться при уменьшении температуры МФЧЭ до –20 °С с помощью двухкаскадного термоэлектрического охладителя. <...> Лучшее среднее по МФЧЭ значение темнового тока планарных фотодиодов при комнатной температуре достигает минимального значения 0,22 пА при оптимальном смещении на ФД равном –2,4 В. <...> Rv Ключевые слова: темновые токи, планарный, фотодиоды на основе гетероэпитаксиальной структруры InGaAs/InP, МФЧЭ. <...> Введение Обнаружительная способность матричного фотоприемника ограничивается темновыми токами фотодиодов. <...> Зависимость предельной величины обнаружительной способности от темнового тока IT определяется выражением D 1≈∗ I Т [1]. <...> Однако для обеспечения быстродействия [11], а также уменьшения взаимосвязи pin-фотодиодов в МФЧЭ необходимо проникновение поля на всю глубину фоточувствительного слоя, что требует подачи значительного напряжения смещения. <...> В то же время при увеличении напряжения смещения растет туннельная составляющая темнового тока и необходимо определять оптимальное смещение фотодиодов на основе эпитаксиальной структуры InGaAs/InP. нации в области пространственного заряда, и диффузионного темнового тока неосновных носителей заряда из квазинейтральной области IТдифф. <...> Целью данной работы являлось исследование планарных фотодиодов <...>