Прикладная физика, 2015, № 2 УДК 621.315.5:621.382 Влияние температуры осаждения индия на морфологию наноразмерных гетероструктур InAs/GaAs, полученных капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии М. А. Сурнина, А. Л. Сизов, Р. Х. Акчурин, Т. А. Багаев Исследовано влияние температуры разложения триметила индия на геометрию и морфологию массива квантовых точек InAs, выращиваемых капельным методом на поверхности подложки GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии. <...> Подтверждены теоретические расчеты по степени разложения триметила индия при температуре ниже 300 оС. <...> PACS: 68.37.Ps Ключевые слова: гетероструктуры InAs/GaAs, квантовые точки, МОС-гидридная эпитаксия, капельный метод. <...> . В настоящее время активно развиваются новые методы выращивания перспективных полупроводниковых материалов и структур. <...> Одним из перспективных методов формирования квантоворазмерных гетероструктур для наноэлектроники является капельный метод. <...> В рамках этого метода на первой стадии на поверхности подложки образуются наноразмерные капли элемента III группы (например, In); на второй стадии происходит растворение в этих каплях элемента V группы (например, As), в результате чего на подложке образуются наноразмерные кристаллы АIIIВV. <...> Статья поступила в редакцию 18 марта 2015 г. © Сурнина М. А., Сизов А. Л., Акчурин Р. Х., Багаев Т. А., 2015 Капельный метод, в отличие от традиционной эпитаксии по механизму Странского-Крастанова [4], дает возможность получения изолированных квантовых точек независимо от степени рассогласования периодов решеток. <...> В последние годы процесс «капельной» эпитаксии активно развивался в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии. <...> Ранее нами уже проводились исследования процессов формирования наноразмерных капель In на поверхности GaAs(100) в результате разложения In(CH3)3 и были установлены зависимости параметров капель от технологических условий их формирования. <...> Однако для более точного определения влияния температуры процесса на геометрические <...>