88 УДК 621.383.4/5 Анализ времени жизни неосновных носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах для ИК-области спектра Н. И. Яковлева Рассматривается концепция моделирования времени жизни в полупроводниковых структурах InGaAs и CdHgTe. <...> Представлены параметры и коэффициенты, необходимые для расчета времени жизни в гетероэпитаксиальных структурах. <...> Построены аналитические зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых структурах CdHgTe и InGaAs различного состава в широком диапазоне температур. <...> Dw Ключевые слова: гетероэпитаксиальная структура, теллурид кадмия-ртути, арсенид индия-галлия, инфракрасныйИК, время жизни неосновных носителей заряда. <...> Время жизни неосновных носителей заряда в поглощенной области МФЧЭ является важным параметром, который активно влияет на выходные параметры фоточувствительного прибора в целом [9]. <...> В настоящее время анализ механизмов генерации-рекомбинации и времени жизни в различных важных полупроводниковых материалах, таких как CdHgTe, InSb и InGaAs [10, 11], широко используется для оценки их параметров качества. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья поступила в редакцию 18 марта 2015 г. © Яковлева Н. И., 2015 Время жизни в гетероэпитаксиальных структурах InGaAs Большинство работ по исследованию времени жизни неосновных носителей заряда в материале InGaAs ограничивается рассмотрением высоколегированного материала, который используется для изготовления транзисторов, солнечных элементов и термоэлектрических охладителей [12—16]. <...> Так исследования, проведенные в работе [12] показали, что в диапазоне концентраций 3·1017—3·1019 см-3 время жизни неосновных носителей заряда уменьшается при увеличении уровня легирования и определяется излучательной и Ожерекомбинацией, при этом время жизни в материале n-типа в четыре раза больше, чем в материале р-типа проводимости. <...> Авторы [13] рассчитывали время жизни неосновных дырок по длине диффузии в материале InGaAs n-типа проводимости, где оно составило <...>