84 УДК 621.383 Исследование влияния глубины диффузии на параметры матричных фотодиодов на основе InGaAs/InP Д. С. <...> Андреев, П. Е. Хакуашев, И. В. Чинарева, М. А. Тришенков В статье исследуется повышенная взаимосвязь между элементами фоточувствительной матрицы. <...> Установлена причина этого явления: смыкание элементов матрицы из-за боковой диффузии. <...> Выбраны оптимальные величины параметров, а именно, глубина диффузии примеси менее 2,5 мкм и расстояние между p+-областями соседних элементов матрицы 1 мкм, что обеспечило минимальный уровень взаимосвязи без потерь в обнаружительной способности. <...> PACS: 85.60.-q Ключевые слова: матрица, взаимосвязь фоточувствительных элементов, дефектные элементы, сопротивление взаимосвязи, рабочее напряжение, темновой ток. <...> Введение Одной из актуальных задач при производстве малошумящей матрицы фоточувствительных элементов (ФЧЭ) на основе InGaAs/InP [1—3] является обеспечение низкой взаимосвязи. <...> При исследовании характеристики матричных планарных фотоприемных устройств (ФПУ) [4] была обнаружена повышенная взаимосвязь между ФЧЭ матрицы, что приводит к уширению изображения в области дефектных элементов в зависимости от напряжения смещения. <...> При малых обратных напряжениях смещения оказалось характерно уширение областей дефектов типа «утечки» [5]. <...> С увеличением обратного напряжения смещения можно наблюдать постепенное сужение этих дефектов и уже при рабочем напряжении (~ –2 В) смещения на ФЧЭ превращение их в точки (рис. <...> Увеличивая рабочее напряжение, можно уменьшить взаимосвязь, но при этом увеличивается темновой ток и, как следствие, падает обнаружительная способность [6]. <...> Целью данных исследований являлось определение путей уменьшения взаимосвязи ФЧЭ матАндреев Дмитрий Сергеевич, ведущий инженер-технолог. <...> Изображения карт дефектности фотоприемников с БИС считывания: а — темновой сигнал при температуре МФЧЭ +20 °С с емкостью накопления 10 фФ при малом смещении на ФЧЭ, б — при оптимальном <...>