10 УДК 537.9, 53.092, 53.096 Исследование низкотемпературного спекания серебросодержащих паст методом растровой электронной микроскопии К. Н. Нищев, М. И. Новопольцев, К. В. Саврасов, В. П. Мишкин, В. В. Елисеев, В. А. Мартыненко, А. В. Гришанин Методом растровой электронной микроскопии исследованы изменения микроструктуры спеченных слоев серебросодержащих паст в зависимости от температуры процесса спекания (230—270 °С) при заданном давлении прессования, а также в зависимости от давления прессования (10—40 МПа) при заданной температуре спекания. <...> Установлена корреляция полученных результатов с данными электрических измерений. <...> Hk Ключевые слова: серебросодержащая паста, спекание, растровая электронная микроскопия, пористость, электрическая проводимость, силовые полупроводниковые приборы. <...> Введение Основные параметры силовых полупроводниковых приборов (СПП) и их надежность в значительной степени определяются технологией межэлементных соединений и сборки в корпус электрически активных функциональных элементов. <...> Межэлементные соединения в таких приборах должны одновременно обладать минимальными электрическими и тепловыми сопротивлениями, низкой индуктивностью, способностью быстро отводить возникающие в полупроводниковых структурах потери мощности, обеспечивать механическую прочность приборов в широком диапазоне температур и циклических нагрузках мощности. <...> Элементы СПП работают в весьма экстремальных условиях. <...> Например, мощные тиристоры переключают токи до 5 кА [1], импульсные фототиристоры коммутируют токи амплитудой до 150 кА Нищев Константин Николаевич, директор института1. <...> Рабочая температура активных кремниевых приборов, работающих в частотном режиме, достигает 150 °С, а в импульсных режимах — 350 °С. <...> Для соединения элементов мощных силовых полупроводниковых приборов обычно применяются пайка мягкими припоями, сплавление высокотемпературными припоями, использование прижимных контактов <...>