Прикладная физика, 2015, № 3 5 Общая физика УДК 621.315; 537.5; 53.097 Протекание тока в автоэмиссионном наноконтакте металл—полупроводник Е. Г. Глуховской, Н. Д. Жуков На туннельном микроскопе исследованы ВАХ в автоэмиссионном наноконтакте вольфрамовый микрозонд—микрозерно поверхности полупроводников А3В5. <...> ВАХ эмиссии из зёрен GaAs соответствуют теории полевой эмиссии из металлов, а узкозонных InSb и InAs — эмиссии из приповерхностных электронных состояний. <...> В режимах эмиссии и инжекции наблюдались важные для практики явления низкополевой эмиссии и ограничений тока локализованным зарядом. <...> Результаты объясняются в рамках модели кулоновского взаимодействия и локализации лёгких электронов. <...> PACS: 73.23.-b; 73.63.-b Ключевые слова: автоэмиссионный контакт, автоэмиссия, инжекция, рекомбинация, локализация электронов, кулоновская блокада, приповерхностная зона. <...> Введение В связи с развитием наноэлектроники исследуются туннельные контакты для случаев наноструктур, в которых элементы разделены субнанозазором, заполненным атомами иных материалов [1]. <...> Расположение наноразмерных элементов в реальных схемах, однако, может быть таким, что между ними имеются наноразмерные зазоры, не заполненные твердотельной средой. <...> В этих случаях токоперенос между наноэлементами имеет природу полевой эмиссии (автоэмиссии), а их контакт может быть назван как автоэмиссионный. <...> В работе исследованы механизмы токопереноса в контакте с нанозазором металлический микрозонд — микрозерно поверхности полупроводника. <...> При этом выбраны полупроводники соединений А3В5 — узкозонные антимонид индия InSb и арсенид индия InAs, относительно широкозонный — арсенид галлия GaAs. <...> Выбор обоснован значительной перспективой использования этих материалов в наноэлектронике и тем, что эти полупроводники имеют большую разницу в свойстГлуховской Евгений Геннадьевич, доцент. <...> E-mail: ndzhukov@rambler.ru Статья поступила в редакцию 20 марта 2015 г. © Глуховской Е. Г., Жуков Н. Д., 2015 <...>