Прикладная физика, 2015, № 5 УДК 535.247 О возможности повышения рабочей температуры и улучшения параметров пороговых фотодиодов из антимонида индия В. П. Астахов, Г. С. Соловьёва, А. В. Артамонов Исследованы температурные зависимости темновых токов и параметров пороговых фотодиодов на основе «низкоомных» и «высокоомных» кристаллов антимонида индия. <...> Обнаружена смена механизма протекания темнового тока при температуре вблизи 90 К. <...> Показаны и обсуждены преимущества пороговых фотодиодов на основе «низкоомных» кристаллов. <...> PACS: 85.60.-q Ключевые слова: пороговый фотодиод, антимонид индия, рабочая температура, температурные зависимости параметров. <...> Введение Рабочей температурой пороговых фотодиодов (ФД) из антимонида индия является температура в диапазоне 802 К. <...> При этом в ряде случаев к ФД предъявляются такие специфические требования по температурным режимам, как достижение рабочей температуры в течение 2—5 секунд, обеспечение рабочего состояния в течение десятков секунд при отключённой системе охлаждения, длительные (сотни и тысячи часов) наработки при отсутствии возможности отвода избыточного тепла и пониженных энергопотреблениях системы охлаждения. <...> Всё это свидетельствует об особой актуальности решения задачи повышения рабочей температуры ФД. <...> Решению указанной задачи, безусловно, способствует определение принципиальных возможностей повышения рабочей температуры фоточувствительного кристалла при сохранении его пороговых параметров, определяемых отношением сигнал/шум. <...> При этом повышение рабочей температуры даже на 1 К может заметно снизить требования к системе охлаждения и повысить надёжность ФД. <...> Серийная базовая технология изготовления планарных фотодиодов из антимонида индия основана на формировании р+–n-переходов в кристаллах n-типа проводимости локальной имплантацией ионов бериллия и последующим отжигом с Астахов Владимир Петрович, главный специалист. <...> Е-mail: ko-ckb@mail.ru Статья поступила <...>