Прикладная физика, 2015, № 5 59 Фотоэлектроника УДК 621.315.5 Влияние процессов рекомбинации на ВАХ фотодиодов, изготовленных в гетероэпитаксиальных структурах КРТ Н. И. <...> Яковлева Рассматриваются влияние процессов рекомбинации на вольт-амперные характеристики и возможности уменьшения темнового тока в фотодиодах на основе тройных соединений теллуридов кадмия ртути. <...> Показано, что процессы туннелирования через уровни в запрещенной зоне, зависящие от напряжения смещения, рабочей температуры и уровня легирования, могут являться одним из главных факторов, ограничивающим выходные параметры прибора. <...> Dw Ключевые слова: гетероэпитаксиальная структура, ГЭС, теллурид кадмия-ртути, КРТ, CdHgTe, процессы рекомбинации, темновой ток, ВАХ. <...> Введение Тройное соединение кадмий-ртуть-теллур (КРТ, CdхHg1-хTe) широко используется во всем инфракрасном (ИК) диапазоне спектра от коротковолнового (SWIR) до сверхдлинноволнового (VLWIR) при изготовлении современных фотоприемных устройств (ФПУ) с высокими фотоэлектрическими параметрами [1—5]. <...> Высокий уровень параметров, достигнутый в приборах на основе КРТ, является критерием качества для других материалов, работающих в инфракрасной области спектра. <...> Главным фактором, определяющим температуру охлаждения, является темновой ток фотодиодов, который должен быть минимальным, чтобы снизить шумы прибора и обеспечить заданные фотоэлектрические параметры. <...> Появление избыточных темновых токов связано как с формированием дефектов в гетероэпитаксиальных структурах в процессе выращивания Яковлева Наталья Ивановна, зам. начальника НИЦ. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья поступила в редакцию 21 августа 2015 г. © Яковлева Н. И., 2015 тройного соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ) на гомо- и гетероподложках [6, 7], так и с фундаментальными процессами генерации-рекомбинации, протекающими в фотодиодах на основе ГЭС КРТ. <...> Фотодиод разделяется на три основные области: две квазинейтральные области р- и n-типа проводимости <...>