Прикладная физика, 2015, № 5 УДК 621.315.5 Моделирование процессов геттерирования генерационно-рекомбинационных центров в кремнии при диффузии фосфора и бора Ю. А. Якимов, Е. А. Климанов Используя сравнение экспериментальных данных с результатами расчетов на основе модели процессов геттерирования, показано, что основным механизмом геттерирования генерационно-рекмбинационных центров (ГРЦ) при диффузии фосфора является формирование ионых пар P+-Fe2-. <...> При диффузии бора основным геттером является слой боросиликатного стекла. <...> Определены зависимости эффективности геттерирования от параметров процесса. <...> Введение Геттерирование металлических примесей с помощью диффузионных слоев фосфора и бора и нарушенных слоев, созданных имплантацией ионов, уже долгое время и успешно используется в технологии различных приборов на основе кремния (фотодиодов, интегральных схем, солнечных элементов) для снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров (ГРЦ) [1—4]. <...> Однако в этих работах недостаточное внимание уделено влиянию параметров процесса на его эффективность. <...> В предыдущей работе нами приведены экспериментальные результаты, показывающие применимость модели образования ионных пар для процесса геттерирования ГРЦ при диффузии фосфора [16]. <...> Целью настоящей работы является рассмотрение влияния технологических параметров процесса геттерирования ГРЦ (температура, длительЯкимов Юрий Александрович, студент1. <...> Изготовление образцов Для оценки зависимости эффективности геттерирования от параметров процессов изготавливались образцы n+─π─p+-диодов на p-Si с концентрацией Na ~1012 см-3 и p+─n-, n+─p-диодов на n-Si и p-Si с концентрацией легирующих примесей Na, Nd ~51014 см-3. <...> На изготовленных образцах проводились измерения темновых токов и времени жизни носителей заряда методом спада послеинжекционной ЭДС, по которым определялись концентрации ГРЦ. <...> Для определения зависимости концентрации ГРЦ от длительности процесса <...>