80 УДК 621.383:621.315.5 Эффективность методов геттерирования высокоомного кремния для фотодиодов А. К. Будтолаев, И. А. Евлентьев, Г. В. Либерова, С. Д. Сиваченко, В. Е. Степанюк Проведено сравнение методов геттерирования при изготовлении фотодиодов на основе высокоомного кремния (p–i–n-фотодиодов). <...> Эффективность геттерирования оценивалась по величине обратных токов фотодиодов при рабочем напряжении 200 В. <...> Лучшие результаты получены на образцах с геттерированием методом диффузионного легирования фосфором нерабочей стороны пластины. <...> Введение В качестве исходного материала для изготовления р–i–n-фотодиодов используется высокочистый кремний, выращенный методом бестигельной зонной плавки. <...> Величина времени жизни неосновных носителей заряда, которая является основным параметром, определяющим характеристики фотодиодов, в этом материале составляет 300—800 мкс. <...> Однако известно, что в ходе процесса изготовления полупроводниковых приборов происходит постоянное увеличение концентрации дефектов: вакансий, примесных атомов тяжелых металлов (меди, железа, золота и др.) и их кластеров [1]. <...> Эти дефекты создают генерационнорекомбинационные центры в запрещенной зоне кремния [2, 3], которые приводят к снижению времени жизни неосновных носителей заряда и возрастанию обратных токов фотодиодов. <...> Для исключения нежелательного влияния таких микродефектов широко используются различные методы геттерирования [4]. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья поступила в редакцию 27 ноября 2015 г. © Будтолаев А. К., Евлентьев И. А., Либерова Г. В., Сиваченко С. Д., Степанюк В. Е., 2015 Прикладная физика, 2015, № 6 В данной работе проводилась сравнительная оценка методов геттерирования нарушенными слоями, созданными диффузией фосфора и ионной имплантацией аргона и хлора на нерабочей стороне пластин. <...> Эксперимент Фотодиоды изготавливались на кремниевых пластинах р-типа проводимости с удельным сопротивлением 7000—10000 Омсм и толщиной 65030 мкм. <...> Все пластины <...>