Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582373)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Компоненты и технологии  / №8 (181) 2016

Интегральные LC-генераторы, управляемые напряжением, на базе перекрестно связанных МОП-транзисторов (50,00 руб.)

0   0
Первый авторБелов Геннадий
Страниц4
ID415802
АннотацияГенераторы гармонических колебаний, управляемые напряжением (ГУН), построенные на базе пар перекрестно связанных транзисторов и изготовленные при помощи нанометровой КМОП-технологии, находят широкое применение в системах мобильной связи, работающих в гигагерцевом частотном диапазоне. Если примерно 10 лет назад такие ГУН, действующие на частоте 900 МГц, изготавливались по 0,35-микрометровой КМОПтехнологии, то в настоящее время они выпускаются уже по 45-нанометровой технологии [1]. Такие ГУН, имеющие низкую потребляемую мощность и малые фазовые шумы (флуктуации фазы и частоты ГУН), встраиваются в системы фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ).
Белов, Г. Интегральные LC-генераторы, управляемые напряжением, на базе перекрестно связанных МОП-транзисторов / Г. Белов // Компоненты и технологии .— 2016 .— №8 (181) .— С. 96-99 .— URL: https://rucont.ru/efd/415802 (дата обращения: 23.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

94 проектирование схемотехника Интегральные LC-генераторы, управляемые напряжением, на базе перекрестно связанных МОП-транзисторов Геннадий БЕЛОВ, д. т. н., профессор belovga_chuvsu@rambler.ru Генераторы гармонических колебаний, управляемые напряжением (ГУН), построенные на базе пар перекрестно связанных транзисторов и изготовленные при помощи нанометровой КМОП-технологии, находят широкое применение в системах мобильной связи, работающих в гигагерцевом частотном диапазоне. <...> Если примерно 10 лет назад такие ГУН, действующие на частоте 900 МГц, изготавливались по 0,35-микрометровой КМОПтехнологии, то в настоящее время они выпускаются уже по 45-нанометровой технологии [1]. <...> Такие ГУН, имеющие низкую потребляемую мощность и малые фазовые шумы (флуктуации фазы и частоты ГУН), встраиваются в системы фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). (рис. <...> 1): 1) схемы на перекрестно связанных n-МОПтранзисторах с резисторным заданием тока в общей цепи транзисторов (рис. <...> 1д); 3) схемы с двумя парами перекрестно связанных транзисторов, одна из которых выполнена на n-МОП-транзисторах, другая — на p-МОП-транзисторах, с источником тока, реализованным на n-МОП-транзисторе и p-МОП-транзисторе (рис. <...> Схемы ГУН отличаются также конструкцией варактора СВ. <...> Емкость LC-контура складывается из емкостей варактора СВ, индуктивности СL, нагрузки и паразитных емкостей транзисторов. <...> В результате расчетов и моделирования получены следующие значения параметров: L = 5 нГн; CВ = 700 фФ; емкость индуктивности CL = 90 фФ; ток стока Iс = 1,5 мА; крутизна gm = 0,03 А/В; сопроРис. <...> Схемы ГУН на базе перекрестно связанных МОП-транзисторов, Е — напряжение питания, uсм — напряжение смещения уществует несколько структур ГУН, построенных на базе пар перекрестно связанных МОП-транзисторов тивление нагрузки 90 Ом; емкость нагрузки = 600 фФ; напряжение питания E = 3 В. <...> Еще одна практическая схема ГУН, изготовленная по 90-нанометровой технологии, представлена на рис. <...> Она отличается тем, что к выходам <...>