Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610371)
Контекстум
Полупроводниковая светотехника  / №5 (37) 2015

MOSFET компании Infineon и их применение для драйверов светодиодных ламп (30,00 руб.)

0   0
Первый авторПетропавловский Юрий
Страниц8
ID411532
АннотацияСовременные светодиоды (СД) отличаются высокой световой эффективностью и длительным сроком службы, поэтому задача адекватного повышения эффективности и надежности систем питания полупроводниковых осветительных приборов является весьма актуальной. СД ретрофитных LED-ламп, линейных осветительных приборов и панелей, промышленных и уличных светильников обычно подключаются к сетям переменного тока при помощи импульсных преобразователей напряжения (ИП). Значений КПД распространенных ИП (70–80%) для достижения современных требований по энергоэффективности оказывается недостаточно. Основной вклад в потери преобразования вносят каскады на силовых биполярных и полевых транзисторах. В современных ИП малой и средней мощности в качестве силовых ключей в основном применяются полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET), от параметров которых в значительной степени зависит КПД подключаемых к сетям переменного тока приборов. Совершенствованием технологий производства MOSFET и улучшением их качественных параметров занимаются практически все ведущие производители полупроводниковых приборов.
Петропавловский, Ю. MOSFET компании Infineon и их применение для драйверов светодиодных ламп / Ю. Петропавловский // Полупроводниковая светотехника .— 2015 .— №5 (37) .— С. 31-38 .— URL: https://rucont.ru/efd/411532 (дата обращения: 18.04.2025)

Вы уже смотрели


Предпросмотр (выдержки из произведения)

ИСТОЧНИКИ И СИСТЕМЫ ПИТАНИЯ, ДРАЙВЕРЫ СВЕТОДИОДОВ Юрий Петропавловский MOSFET компании Infineon и их применение для драйверов светодиодных лампСовременные светодиоды (СД) отличаются высокой световой эффективностью и длительным сроком службы, поэтому задача адекватного повышения эффективности и надежности систем питания полупроводниковых осветительных приборов является весьма актуальной. <...> СД ретрофитных LED-ламп, линейных осветительных приборов и панелей, промышленных и уличных светильников обычно подключаются к сетям переменного тока при помощи импульсных преобразователей напряжения (ИП). <...> Значений КПД распространенных ИП (70–80%) для достижения современных требований по энергоэффективности оказывается недостаточно. <...> Основной вклад в потери преобразования вносят каскады на силовых биполярных и полевых транзисторах. <...> В современных ИП малой и средней мощности в качестве силовых ключей в основном применяются полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET), от параметров которых в значительной степени зависит КПД подключаемых к сетям переменного тока приборов. <...> Совершенствованием технологий производства MOSFET и улучшением их качественных параметров занимаются практически все ведущие производители полупроводниковых приборов. <...> О дин из крупнейших мировых производителей полупроводниковых приборов, компания Infineon Technologies AG (Германия) в январе 2015 г. завершила сделку по приобретению известной полупроводниковой компании International Rectifier (США). <...> Ассортимент выпускаемой продукции и возможности объединенной компании (далее Infineon) существенно расширились по многим направлениям, в том числе и в части полупроводниковых приборов и микросхем для систем освещения и подсветки. <...> В номенклатуре продукции Infineon, предназначенной для систем LED-освещения и подсветки, представлены высокоэффективные MOSFET с низкими потерями переключения, а также драйверы СД на основе преобразователей с коррекцией коэффициента <...>