ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4/5:621.315.59 Фотоэлектрические характеристики МФПУ на основе эпитаксиальных слоев антимонида индия на высоколегированной подложке И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, В. В. Фадеев Исследованы фотоэлектрические характеристики матричного фотоприемного устройства формата 320 256 элементов с шагом 30 мкм с фоточувствительным элементом, изготовленным в эпитаксиальном слое антимонида индия на высоколегированной подложке. <...> Среднее значение эквивалентной шуму разности температур при относительном отверстии диафрагмы 1:0,94 и времени накопления 1,46 мс составило 10,5 мК, количество дефектных элементов — 0,12 %, время корректируемости — более трех часов. <...> Введение Наибольшее количество матричных фотоприемных устройств (МФПУ) средневолнового ИК-диапазона изготавливаются на основе фотодиодов из антимонида индия InSb [1—3]. <...> Статья поступила в редакцию 02 июня 2016 г. © Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Власов П. В., Лопухин А. А., Торопов А. И., Журавлев К. С., Фадеев В. В., 2016 цы фотодиодов из InSb отличаются высокой однородностью свойств по площади, меньшим количеством дефектных элементов и более низкой ценой в сравнении с аналогичными устройствами. <...> Развитие новых методов выращивания InSb, и прежде всего молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), позволило решить ряд технологических проблем и создать крупноформатные матрицы фотодиодов. <...> Наиболее значимыми потенциальными преимуществами МФПУ на основе эпитаксиальных структур антимонида индия являются: – уменьшение взаимосвязи элементов [7—9]; – уменьшение динамической взаимосвязи [10]; – уменьшение дефектности; – повышение температуры криостатирования. <...> В АО «НПО «Орион» разработано и выпускается серийно МФПУ на основе объемного InSb формата 320256 элементов с шагом 30 мкм с охладителем типа «интегральный Стирлинг» и блоком сопряжения [11—13]. <...> В данной работе исследованы фотоэлектрические характеристики аналогичного <...>