Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634942)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Естественные и технические науки  / №5 (95) 2016

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ (100,00 руб.)

0   0
Первый авторЖилинский
АвторыТимошина М.И., Акимов Е.В.
Страниц4
ID399209
АннотацияПроведен расчет энергии связи и зарядовой плотности кремния при легировании двумя примесями. Показано влияние термообработки на микроструктуру легированного кремния.
Жилинский, А.П. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ / А.П. Жилинский, М.И. Тимошина, Е.В. Акимов // Естественные и технические науки .— 2016 .— №5 (95) .— С. 107-110 .— URL: https://rucont.ru/efd/399209 (дата обращения: 02.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Естественные и технические науки, № 5, 2016 Жилинский А.П., доктор физико-математических наук, профессор Тимошина М.И., кандидат технических наук, доцент Акимов Е.В., аспирант (Московский технический университет связи и информатики) ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Проведен расчет энергии связи и зарядовой плотности кремния при легировании двумя примесями. <...> Показано влияние термообработки на микроструктуру легированного кремния. <...> PHYSICAL PROPERTIES OF DOPED MONOCRYSTALLINE SILICON Binding energy and charge density of silicon doped by two different impurities were calculated. <...> Influence of the thermal treatment on microstructure of doped silicon was analyzed. <...> Уровень развития современной полупроводниковой электроники тесно связан с достижениями в технологии полупроводниковых материалов. <...> История технологии полупроводникового кремния характеризуется непрерывным стремлением к совершенству. <...> Это вызвано тем, что совершенство кристаллов, однородность свойств по объему не только влияет на рабочие характеристики приборов и микросхем, но и определяет эффективность их производства. <...> С увеличением степени интеграции свойства отдельного элемента все более определяются локальными свойствами кристаллической подложки. <...> Кремний является основным материалом для изготовления интегральных схем высокой эффективности. <...> Возможность совершенствования полупроводниковых приборов заложена в повышении качества подложек, характеристики которых находятся в прямой зависимости от свойств монокристаллов и изготовляемых из них пластин. <...> Задача получения монокристаллов с равномерным распределением электрических свойств, пониженным содержанием остаточных фоновых примесей и структурных дефектов весьма актуальна. <...> Таким образом, один из главных путей улучшения качества изделия полупроводниковой микроэлектроники - это улучшение качества исходных кристаллов кремния. <...> Перспективными путями управления процессами деградации электрофизических параметров кремния являются его термообработка <...>