Силовая электроника, № 6’2015 Силовая элементная база Новое поколение преобразовательных систем на основе карбидокремниевых силовых ключей Перевод: Евгений Карташов М ировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. <...> Однако максимальная цель популяризации электрических и гибридных автомобилей, установленная американским Министерством энергетики (DOE), — повышение эффективности до 93% и плюс еще 1% (т. е. достижение КПД в 94%) к 2020 г. На пике сложных задач, установленных DOE, находятся требования по уменьшению вдвое габаритов электрических тяговых приводов и снижению их стоимости к 2020 г. более чем на 20%. <...> Таким образом, мы видим три основных движителя развития следующего поколения силовых полупроводниковых приборов: • нормативные правила, требующие повышения эффективности преобразования энергетических систем; • запрос рынка на улучшенные, облегченные, малогабаритные, экономически эффективные системы; • появление принципиально новых приложений, таких как электрические транспортные средства (EV) и твердотельные трансформаторы (SST). <...> Исследования, проведенные в прошедшее десятилетие, показали, что широкозонные (WBG) материалы, такие как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), могут служить основой для разработки следующего поколения силовых полупроводниковых приборов. <...> Преимущества WBG-устройств обеспечивают значительное повышение эффективности преобразования, а также ряд новых возможностей, недоступных при использовании кремниевых приборов. <...> Однако только в последнее время мощные полу проводниковые ключи на основе SiC стали «подспорьем» разработчиков силовых конвертеров. <...> Данная статья посвящена последним типам SiC-ключей, а именно — MOSFET. <...> 19 Силовая электроника, № 6’2015 История SiCприборов Первые коммерческие SiC-диоды с барьером Шоттки (SBD) появились на рынке более десяти лет <...>